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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)答案
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  • 第1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
    自測題
    一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
    二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
    三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V
    四、UO1＝6V UO2＝5V
    五、根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40V時(shí)IC＝5mA，UCE＝30V時(shí)IC≈6.67mA，UCE＝20V時(shí)IC＝10mA，UCE＝10V時(shí)IC＝20mA，將改點(diǎn)連接成曲線，即為臨界過損耗線。圖略。
    六、1、

    UO＝UCE＝2V。
    2、臨界飽和時(shí)UCES＝UBE＝0.7V，所以

    七、T1：恒流區(qū)；T2：夾斷區(qū)；T3：可變電阻區(qū)。
    習(xí)題
    1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A
    1.2不能。因?yàn)槎䴓O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)系，當(dāng)端電壓為1.3V時(shí)管子會(huì)因電流過大而燒壞。
    1.3 ui和uo的波形如圖所示。



    1.4 ui和uo的波形如圖...
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